铝铜Cu+复合基稀土厚膜电路智能电热芯片的制备工艺

摘要

本发明公开了一种铝铜Cu+复合基稀土厚膜电路智能电热芯片的制备工艺，其特征在于，它包括如下步骤：a、膜的制备：制备电子浆料，并在流延机上制备出生瓷带；b、生瓷带的制备：流延机流延浆料，制备出各种类型生磁片，并在80～150℃下在机干燥30～50分钟，激光切割、冲压加工成型；c、芯片的制备：将制备好的生磁带用玻璃胶或硅胶贴在铝铜Cu+复合基板上置于工装，安装在热等静压机内，在氮化气氛下按温度曲线进行烧结；d、按要求检验各项设计参数包括方阻、耐压、几何尺寸和介质层厚度。本发明“膜”的致密度高、均匀性好、性能优异，具有生产周期短、工序少、能耗低、材料损耗小等特点。

主权项

一种铝铜Cu+ 复合基稀土厚膜电路智能电热芯片的制备工艺，其特征在于，它包括如下步骤：a、膜的制备：制备电子浆料，并在流延机上制备出不同性质、规格的生瓷带，包括介质生瓷带、热敏电阻生瓷带、电阻生瓷带、电极生瓷带，经烧结的生瓷带称为厚膜电路，统称为稀土厚膜电路；b、生瓷带的制备：流延机流延浆料，制备出各种类型生磁片，并在80～150℃下在机干燥30～50分钟，得到厚度为0.2～3mm磁带生胚，激光切割、冲压加工成型；c、芯片的制备：将制备好的生磁带用玻璃胶或硅胶贴在铝铜Cu+ 复合基板上置于工装，安装在热等静压机内，在氮化气氛下按温度曲线进行烧结，升、降温速率: 50‑70℃∕min，峰值温度：450‑650℃；d、按要求检验各项设计参数包括方阻、耐压、几何尺寸和介质层厚度，要求介质层厚度＞60μm ，方阻膜厚度＞8μm 。