| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件制造方法，包括：步骤1，在包括下层结构的衬底上形成绝缘介质层；步骤2，在绝缘介质层上形成硬掩模层和软掩模图形；步骤3，以软掩模图形为掩模，对硬掩模层执行第一刻蚀以形成硬掩模图形；步骤4，以硬掩模图形为掩模，对绝缘介质层执行第二刻蚀以形成沟槽或接触孔；步骤5，通入氧化性气体，去除开沟槽或接触孔侧壁上的聚合物；步骤6，多次执行步骤4和/或步骤5，直至露出下层结构。依照本发明的半导体器件制造方法，采用主要包括非晶硅的独特硬掩模图形提高了刻蚀绝缘介质的选择性，并且刻蚀绝缘介质之后或者过程中还单独通入氧化性气体去除聚合物，从而获得较高深宽比结构，提高了器件可制造性和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105390433A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201410452054.1 | 申请日期 | 2014.09.05 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 孟令款 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，包括：步骤1，在包括下层结构的衬底上形成绝缘介质层；步骤2，在绝缘介质层上形成硬掩模层和软掩模图形；步骤3，以软掩模图形为掩模，对硬掩模层执行第一刻蚀以形成硬掩模图形；步骤4，以硬掩模图形为掩模，对绝缘介质层执行第二刻蚀以形成接触孔或沟槽；步骤5，通入氧化性气体，去除接触孔或沟槽侧壁上的聚合物；步骤6，多次执行步骤4和/或步骤5，直至露出下层结构。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||