| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：步骤S1：提供底部晶圆；步骤S2：在所述底部晶圆上形成绝缘层，并在所述绝缘层中形成若干互连通孔，以连接所述底部晶圆；步骤S3：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆上形成有若干与所述互连通孔相匹配的凸点；步骤S4：将所述互连通孔和所述凸点相连接，以形成倒装芯片。本发明的优点在于：(1)减少了一次凸点(Bump)工艺，降低了工艺成本。(2)减少了一片作为中介层(Interposer)的晶圆和中介层工艺，增加了出货量。(3)使用有机物作为绝缘材料，降低了漏电的风险，提高了抗击穿能力。 | ||
| 申请公布号 | CN105390434A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201410453163.5 | 申请日期 | 2014.09.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郑超;王伟 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆；步骤S2：在所述底部晶圆上形成绝缘层，并在所述绝缘层中形成若干互连通孔，以连接所述底部晶圆；步骤S3：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆上形成有若干与所述互连通孔相匹配的凸点；步骤S4：将所述互连通孔和所述凸点相连接，以形成倒装芯片。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||