正装四结太阳电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种正装四结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结以及GaInP顶电池，所述GaInP顶电池和所述GaAs衬底上分别设有电极。本发明所有子电池晶格常数与GaAs衬底匹配，降低了生产成本，制备工艺简单。带隙组合为1.90eV、1.42eV、约1.00eV、约0.7eV，具有较高的开路电压，减小了光电转换过程中的热能损失，提高了电池效率。采用正装生长方法生长，避免了倒置生长电池结构需要先与其它支撑衬底材料键合再去除GaAs衬底的复杂工艺，降低了电池的制作难度。

主权项

一种正装四结太阳电池，包括GaAs衬底，其特征在于，还包括采用GaNAsBi材料制作的两结子电池，所述两结子电池的晶格常数均与所述GaAs衬底匹配。