发明名称 一种己二酸结晶器的移动清疤方法
摘要 本发明提供一种己二酸结晶器的移动清疤方法,移动清疤的具体过程为:在清疤开始前,各结晶室的压力为P0,即M个室结晶对应的压力,T0时刻开始移动清疤,在ΔT时间内压力通过压力调节阀由P0匀速上升到P1,此时结晶室内的物料平衡温度上升,然后压力P1保持一段时间,部分室内的溶液达到不饱和状态,晶疤逐渐溶解,晶疤溶解完之后,T1时刻开始向初始操作恢复,初始操作即M室结晶,在ΔT时间内压力由P1匀速下降到P0,T0+ΔT时刻清疤结束。本发明实现了结晶的连续稳定,同时达到节能减排的目的。
申请公布号 CN104107818B 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201410347012.1 申请日期 2014.07.18
申请人 中国天辰工程有限公司;天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司 发明人 艾晓欣;袁文;张丰扬;王琳;张猛;陈顺杭;张进治;董强;江屿;孙顺平
分类号 B08B9/08(2006.01)I;B08B9/093(2006.01)I 主分类号 B08B9/08(2006.01)I
代理机构 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 代理人 韩敏
主权项 一种己二酸结晶器的移动清疤方法,其特征在于:设结晶器有M个结晶室,整个结晶器的后N个室产生结晶,其中M≥N,前M‑N个室进行溶解清疤;清疤的具体过程为:在清疤开始前,各结晶室的压力为P0,即M个室结晶对应的压力,T0时刻开始移动清疤,在ΔT时间内压力通过压力调节阀由P0匀速上升到P1,此时结晶室内的物料平衡温度上升,然后压力P1保持一段时间,部分室内的溶液达到不饱和状态,晶疤逐渐溶解,晶疤溶解完之后,T1时刻开始向初始操作恢复,初始操作即M室结晶,在ΔT时间内压力由P1匀速下降到P0,T0+ΔT时刻清疤结束。
地址 300400 天津市北辰区京津路1号