一种非晶碳薄膜材料的低温制备方法

摘要

本发明公开了一种非晶碳薄膜材料的低温制备方法，该方法包括以下步骤：（1）单晶硅片的清洗；（2）以硅烷和氨气为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅片上沉积氮化硅薄膜；（3）以甲烷为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积技术在（2）中的氮化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜。经过上述步骤所制备的非晶碳薄膜具有工艺简单、沉积温度低、能耗少、成本低、碳膜均匀性好以及大面积制备等优点。

主权项

一种非晶碳薄膜材料的低温制备方法，其步骤包括：（1）单晶硅片的清洗，先将单晶硅片基底置于丙酮溶液中超声清洗10～15 min；再放入乙醇溶液中超声清洗10～15 min；然后将单晶硅片放入1:3的HF溶液中3～5 min；最后用去离子水超声清洗10～15 min；（2）以硅烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅片衬底上制备氮化硅薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：100～200W，射频频率：13.56MHz，沉积温度：230～280℃，腔体压强：50～80Pa，氢气稀释5%～10%（体积百分比）的SiH₄：10～20 sccm，NH₄：10～20 sccm镀膜时间：5～10 min；（3）以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在氮化硅薄膜上制备非晶碳薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：100～200W，射频频率：13.56MHz，沉积温度：230～280℃，腔体压强：50～80Pa，CH₄：10～20 sccm镀膜时间：30～60 min。