一种三维CMOS集成电路的制备方法

摘要

本发明公开了一种三维CMOS集成电路的制备方法，通过将底部悬空的MOS器件转移至目标器件上方，可实现不同MOS器件之间的三维堆叠，进一步通过制备互连通孔可实现三维CMOS集成电路，所采用的制备工艺可与目前平面CMOS电路的量产工艺和技术完全兼容，是一种可直接量产的三维电路制备方法，并可直接应用于其他功能器件与CMOS电路的三维集成，从而可实现其他功能性的三维集成电路和系统，还可应用于多层MOS器件的集成，从而真正实现立体集成电路的量产，具有非常广阔的应用前景。

主权项

一种三维CMOS集成电路的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一第一衬底，在所述第一衬底上制备形成第一MOS器件以及覆盖在第一MOS器件上的隔离介质层；步骤S02：提供一第二衬底，在所述第二衬底上制备形成底部悬空的第二MOS器件；步骤S03：将第二衬底上的第二MOS器件转移至第一衬底的隔离介质层上，并进行互连对准；步骤S04：在第一、第二MOS器件之间制备形成通孔以及制备形成电路的互联引出。