| 发明名称 | 有机半导体材料和电子构件 | ||
| 摘要 | 包括至少一种基质材料和至少一种掺杂材料的有机半导体材料，其中，选用由辐射三烯化合物制成的掺杂材料，并且其中，选用由三联苯二胺化合物制成的基质材料；以及有机构件；和用于制造经掺杂的半导体层的混合物。 | ||
| 申请公布号 | CN102892859B | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201180021516.9 | 申请日期 | 2011.04.27 |
| 申请人 | 诺瓦莱德公开股份有限公司;森西特图像技术有限公司 | 发明人 | 安斯加尔·维尔纳;萨沙·多罗克;卡斯滕·罗特;迈克尔·菲利斯特;沃尔克·利舍夫斯基;米尔科·曲纳耶夫 |
| 分类号 | C07D213/04(2006.01)I;C07C13/04(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I | 主分类号 | C07D213/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李楠;安翔 |
| 主权项 | 包括至少一种基质材料和至少一种掺杂材料的有机半导体材料，其特征在于，所述掺杂材料选自式(1)的化合物<img file="FDA0000783534770000011.GIF" wi="680" he="400" />其中，R<sub>1</sub>独立地选自为苯基、联苯基、α‑萘基、β‑萘基、菲基或者蒽基的芳基和为吡啶基、嘧啶基、三嗪基或者喹喔啉基的杂芳基，其中，芳基和杂芳基以至少一种为氟、氯、溴、CN、三氟甲基或硝基的贫电子的取代基加以取代，并且，所述基质材料选自式(2)的化合物<img file="FDA0000783534770000012.GIF" wi="1493" he="870" />其中，R<sub>1</sub>至R<sub>18</sub>各自独立地选自H和C<sub>1</sub>‑C<sub>9</sub>烷基，其中，烷基能是分支链的或不分支链的。 | ||
| 地址 | 德国德雷斯顿 | ||