发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本发明涉及半导体器件。该半导体器件包括非易失性存储器,该非易失性存储器的数据区的存储器大小和代码区的存储器大小可被自由地改变。根据一个实施例的半导体器件包括:非易失性存储器,其可在参考电流读取系统和互补读取系统之间切换,所述参考电流读取系统通过比较流过作为读目标的第一存储器单元的电流和参考电流,执行数据读取,所述互补读取系统通过比较流过作为读目标的存储互补数据的第一存储器单元和第二存储器单元的电流,执行数据读取。 |
申请公布号 |
CN105390158A |
申请公布日期 |
2016.03.09 |
申请号 |
CN201510552082.5 |
申请日期 |
2015.09.01 |
申请人 |
瑞萨电子株式会社 |
发明人 |
加藤多实结;铃木隆信 |
分类号 |
G11C16/26(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/26(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
韩峰;孙志湧 |
主权项 |
一种半导体器件,其包括:非易失性存储器,其可操作用于在参考电流读取系统与互补读取系统之间切换,所述参考电流读取系统通过比较流过作为读目标的存储器单元的电流和参考电流来执行数据读取,所述互补读取系统通过比较流过作为读目标的存储有互补数据的第一存储器单元和第二存储器单元的电流来执行数据读取。 |
地址 |
日本东京 |