| 发明名称 |
普通整流二极管芯片的硫化工艺 |
| 摘要 |
为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种普通整流二极管芯片的硫化工艺，采用硫化反应釜，在氩气条件下，快速升温至220℃～260℃，硫化20min～30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150℃～180℃，然后每20min以5℃～10℃梯度式降温至80℃～100℃，硫化2h～3h，然后降温放料。本发明可以有效的去除芯片上的硫化物，本硫化工艺，在氩气的环境里，采用了快速升温然后梯度式降温的方法，可以有效的降低导致靠近热板的附着的硫化物边缘出现焦烧，同时，不影响芯片的平整度。 |
| 申请公布号 |
CN105390394A |
申请公布日期 |
2016.03.09 |
| 申请号 |
CN201510708003.5 |
申请日期 |
2015.10.28 |
| 申请人 |
国家电网公司;国网山东省电力公司东营供电公司;国网山东利津县供电公司 |
发明人 |
王伟;申君光;张海霞;卞秋野;钱芳;任子学 |
| 分类号 |
H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
普通整流二极管芯片的硫化工艺，其特征在于：采用硫化反应釜，在氩气条件下，快速升温至220℃～260℃，硫化20min～30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150℃～180℃，然后每20 min以5℃～10℃梯度式降温至80℃～100℃，硫化2h～3h，然后降温放料。 |
| 地址 |
100031 北京市西城区西长安街86号 |
