发明名称 一种脉宽可调的高压方波发生器及高压方波发生方法
摘要 本发明涉及一种脉宽可调的高压方波发生器及高压方波发生方法,主要基于分级分路驱动替代现有单路单级或单路多级驱动。对脉冲的前沿和后沿分别多级加速驱动,克服现有方式产生前后沿不快的缺点;高压脉冲成形单元的高压端和低压端的导通和截止分别驱动,克服现有方式产生脉宽不窄及重频不高的缺点;维持高压端导通与截止、维持低压端导通与截止分别驱动,克服现有方式脉冲不能太宽的缺点。
申请公布号 CN105391428A 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201510599068.0 申请日期 2015.09.18
申请人 西北核技术研究所 发明人 郭明安;杨少华;高帅;罗通顶;严明;李刚;刘璐;杜继业;宋岩;李斌康;刘偲
分类号 H03K3/02(2006.01)I 主分类号 H03K3/02(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人 杨亚婷
主权项 一种脉宽可调的高压方波发生器,包括触发输入单元、电源输入单元、高压脉冲成形单元及驱动单元,其特征在于:所述高压脉冲成形单元包括MOSFET推挽电路,所述MOSFET推挽电路包括高压端电路和低压端电路,所述高压端电路的入口处设置有用于与驱动信号耦合和高压隔离的高压端耦合电容,所述低压端电路的入口设置有用于与驱动信号耦合和高压隔离的低压端耦合电容,所述驱动单元利用触发输入单元的输出信号产生加速高压端电路中MOSFET管截止的中压驱动信号Q4、维持高压端电路中的MOSFET管截止的中压驱动信号Q2、高压端电路中的MOSFET管的中压驱动信号Q6;加速低压端电路中的MOSFET管导通的中压驱动信号Q3、维持低压端电路中的MOSFET管导通的中压驱动信号Q1及低压端电路中的MOSFET管的中压驱动信号Q5,Q4连接在高压端电容的一端,Q2和Q6连接在高压端电容的另一端,Q3连接在低压端电容的另一端,Q1和Q5连接在低压端电容的另一端。
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