| 发明名称 | 基于晶片的光源参数控制 | ||
| 摘要 | 一种光刻方法，包括：指示光源产生脉冲光束；横跨光刻曝光装置的晶片扫描脉冲光束，以利用脉冲光束对晶片进行曝光；在横跨晶片的脉冲光束的扫描期间，接收晶片处的脉冲光束的特性；接收针对特定脉冲光束特性的晶片的物理性质的确定值；和基于扫描期间接收到的脉冲光束特性和物理性质的接收到的确定值，在横跨晶片的扫描期间修改脉冲光束的性能参数。 | ||
| 申请公布号 | CN105393169A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201480041169.X | 申请日期 | 2014.06.05 |
| 申请人 | 西默有限公司 | 发明人 | I·拉洛维克;O·祖里塔;G·A·瑞克斯泰纳;P·阿拉格纳;S·赛;J·J·李;R·罗基斯基;江锐 |
| 分类号 | G03B27/02(2006.01)I | 主分类号 | G03B27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;吕世磊 |
| 主权项 | 一种光刻方法，包括：指示光源产生脉冲光束；横跨光刻曝光装置的晶片扫描所述脉冲光束，以利用所述脉冲光束对所述晶片进行曝光；在横跨所述晶片的所述脉冲光束的扫描期间，接收所述晶片处的所述脉冲光束的特性；接收针对特定脉冲光束特性的晶片的物理性质的确定值；和基于扫描期间接收到的所述脉冲光束特性和所述物理性质的接收到的所述确定值，在横跨所述晶片的扫描期间修改所述脉冲光束的性能参数。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||