发明名称 |
一种半导体陶瓷及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体陶瓷及其制备方法,属于半导体材料制备技术领域;其中原料各组分的重量份为钾长石80~90份、钠长石40~50份、钛酸钡5~10份、氧化钛5~10份、钛酸铅1~5份、硫化镉1~5份、氧化锌1~5份,其制备方法为将所有原料粉碎,过100~150目筛后,混合均匀;800~830℃烧制15~20min后,在1000~1010℃烧制10~15min,冷却后,微粉碎,使晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下,即得成品;该半导体陶瓷具有良好的电气特性,晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下,且制备过程中能耗低,成本可控,性价比极高。 |
申请公布号 |
CN105384432A |
申请公布日期 |
2016.03.09 |
申请号 |
CN201510826844.6 |
申请日期 |
2015.11.25 |
申请人 |
赖清甜 |
发明人 |
赖清甜 |
分类号 |
C04B35/19(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/19(2006.01)I |
代理机构 |
广州市南锋专利事务所有限公司 44228 |
代理人 |
袁周珠 |
主权项 |
一种半导体陶瓷,其特征在于:原料各组分的重量份为:钾长石80~90份、钠长石40~50份、钛酸钡5~10份、氧化钛5~10份、钛酸铅1~5份、硫化镉1~5份、氧化锌1~5份。 |
地址 |
511540 广东省清远市清城区龙塘镇龙塘镇居委会新宁大街 |