发明名称 一种半导体陶瓷及其制备方法
摘要 本发明涉及一种半导体陶瓷及其制备方法,属于半导体材料制备技术领域;其中原料各组分的重量份为钾长石80~90份、钠长石40~50份、钛酸钡5~10份、氧化钛5~10份、钛酸铅1~5份、硫化镉1~5份、氧化锌1~5份,其制备方法为将所有原料粉碎,过100~150目筛后,混合均匀;800~830℃烧制15~20min后,在1000~1010℃烧制10~15min,冷却后,微粉碎,使晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下,即得成品;该半导体陶瓷具有良好的电气特性,晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下,且制备过程中能耗低,成本可控,性价比极高。
申请公布号 CN105384432A 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201510826844.6 申请日期 2015.11.25
申请人 赖清甜 发明人 赖清甜
分类号 C04B35/19(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/19(2006.01)I
代理机构 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人 袁周珠
主权项 一种半导体陶瓷,其特征在于:原料各组分的重量份为:钾长石80~90份、钠长石40~50份、钛酸钡5~10份、氧化钛5~10份、钛酸铅1~5份、硫化镉1~5份、氧化锌1~5份。
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