发明名称 | 用于纳米孔阵列的自密封流体通道 | ||
摘要 | 一种形成纳米孔阵列的方法包括:对衬底的正面层进行构图以形成正面沟槽,所述衬底包括设置在所述正面层与背面层之间的掩埋层;在构图的正面层之上以及所述正面沟槽中沉积隔膜层;对所述背面层和所述掩埋层进行构图以形成背面沟槽,所述背面沟槽与所述正面沟槽对准;形成穿过所述隔膜层的多个纳米孔;在所述正面沟槽和所述背面沟槽中沉积牺牲材料;在所述牺牲材料之上沉积正面和背面绝缘层;以及将所述牺牲材料加热至所述牺牲材料的分解温度以去除所述牺牲材料并且形成正面和背面通道对,其中每一个通道对的所述正面通道通过单独的纳米孔而被连接到其相应通道对的所述背面通道。 | ||
申请公布号 | CN103503189B | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
申请号 | CN201280019456.1 | 申请日期 | 2012.03.08 |
申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 党兵;彭红波 |
分类号 | H01L51/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/10(2006.01)I |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 贺月娇;于静 |
主权项 | 一种形成纳米孔阵列的方法,所述方法包括:对衬底的正面层进行构图以形成正面沟槽,所述衬底包括设置在所述正面层与背面层之间的掩埋层;在构图的正面层之上以及所述正面沟槽中沉积隔膜层;对所述背面层和所述掩埋层进行构图以形成背面沟槽,所述背面沟槽与所述正面沟槽对准;形成穿过所述隔膜层的纳米孔阵列的多个纳米孔;在所述正面沟槽和所述背面沟槽中沉积牺牲材料;在所述牺牲材料之上沉积正面和背面绝缘层;以及将所述牺牲材料加热至所述牺牲材料的分解温度以去除所述牺牲材料并且形成正面和背面通道对,其中每一个通道对的正面通道通过单独的纳米孔而被连接到其相应通道对的背面通道。 | ||
地址 | 美国纽约 |