一种处理物理冶金法单晶硅返工片的方法

摘要

本发明涉及一种处理物理冶金法单晶硅返工片的方法。其特点是，包括如下步骤：（1）在1#预清洗槽内加入双氧水溶液并且浸没过返工片，溶液中双氧水质量浓度为4%—6%，同时配合超声清洗返工片，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间300s—550s；（2）在2#预清洗槽内加入纯水并且浸没过返工片，控制温度为55℃—65℃，同时配合超声对返工片进行漂洗，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间250s—300s。经过试用证明，采用本发明的方法后，返工硅片表面油污、白斑、手印等脏污经过清洗后完全洗净，降低硅片的报废比例30%以上。

主权项

一种处理物理冶金法单晶硅返工片的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在1#预清洗槽内加入双氧水溶液并且浸没过返工片，溶液中双氧水质量浓度为4%—6%，同时配合超声清洗返工片，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间300s—550s；（2）在2#预清洗槽内加入纯水并且浸没过返工片，控制温度为55℃—65℃，同时配合超声对返工片进行漂洗，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间250s—300s；（3）当制绒槽内的溶液为刚失效的溶液时，先将制绒槽内的溶液排掉1/3，然后注入等量纯水稀释溶液，然后在溶液内补加添加剂、NaOH和异丙醇，控制每升稀释后的溶液加入1.55mL添加剂，8.2g NaOH，10mL 异丙醇；最后将步骤（2）得到的返工片在上述制绒槽内进行清洗制绒工序即可；其中添加剂采用单晶硅片制绒辅助剂。