一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法

摘要

本发明公开了一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法，在超低介电材料的双大马士革集成工艺中，通过将传统的铜化学机械抛光法与新型的铜无应力电化学抛光法相结合运用，在采用化学机械抛光粗研磨去除大部分铜层后，再采用无应力电化学抛光法去除剩余的铜层，然后通过干法刻蚀去除阻挡层和金属硬掩膜，并引入NH₃、NF₃在等离子体状态下干法刻蚀去除二氧化硅，从而降低了采用无应力电化学抛光后的金属同层电容，可提高无应力电化学抛光铜在超低介电材料的双大马士革集成工艺中的工艺能力，充分发挥其优点，并可利用现有的干法刻蚀腔体，容易实现工艺的整合。

主权项

一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述衬底上依次淀积超低介电材料、二氧化硅、金属硬掩膜，并形成双大马士革结构，然后进行阻挡层/籽晶层淀积、铜电镀工艺；步骤S02：对铜电镀后的双大马士革结构进行化学机械抛光，去除大部分铜层；步骤S03：采用铜无应力电化学抛光法去除剩余的铜层；步骤S04：采用二氟化氙干法刻蚀去除阻挡层和金属硬掩膜；步骤S05：改变刻蚀气体，采用干法刻蚀选择性去除二氧化硅。