具有低电流单元的3D非易失性存储器及方法

摘要

3D非易失性存储器阵列具有在字线和位线之间的交叉点处访问的每个读/写元件。读/写元件形成具有包围氧化物核心的读/写材料的管状壳的结构。以矩形形式，该结构的一个外表面部分与字线接触并且另一外表面部分与位线接触。该壳的厚度而不是其与字线和位线接触的表面积确定导电截面并且因此确定电阻。通过调整壳的厚度，独立于其与字线或位线的接触面积，每个读/写元件可以以增加得多的电阻以及因此的将低得多的电流而操作。还描述了制造这样的存储器阵列的工艺。

主权项

一种存储器，包括在半导体基板上方的以由具有x、y和z方向的矩形坐标来定义并且具有在z方向上堆叠的多个平行平面的三维样式中布置的存储器元件，该存储器还包括：多条局部位线，穿过所述多个平面在z方向上伸长，并且以具有在x方向上的行和在y方向上的列的位线柱的二维矩形阵列布置；多条字线，跨过各个平面在x方向上伸长，并且在y方向上在各个平面中的多个位线柱之间间隔开并且与所述多个位线柱分离，其中所述位线柱和字线在跨过各个平面的多个位置处彼此相邻地交叉；多个非易失性可再编程存储器元件，与位线柱和字线在各个交叉点处接触；所述非易失性可再编程存储器元件具有带有外部表面的管状壳，该外部表面的第一部分担当位线柱的第一电极，并且该外部表面的第二部分担当字线的第二电极；以及其中所述管状壳具有厚度，该厚度控制所述非易失性可再编程存储器元件跨过所述位线柱和所述字线的导电性。