| 发明名称 | 在沟槽下方具有沉块扩散区的双极晶体管 | ||
| 摘要 | 在所述示例中，一种双极晶体管(100)包括：具有半导体表面(106)的衬底(105)；以及第一沟槽封装件和第二沟槽封装件(121，122)，这两个沟槽封装件均至少内衬有电介质，所述电介质从所述半导体表面(106)的顶侧(106a)向下延伸至沟槽深度。所述第一沟槽封装件(121)限定内封闭区。基极(140)和在所述基极(140)中形成的发射极(150)在所述内封闭区之内。埋层(126)在所述沟槽深度之下，包括在所述基极(140)下方。沉块扩散区(115)包括在所述第一沟槽封装件和第二沟槽封装件(121，122)之间的从所述半导体表面(106)的所述顶侧(106a)延伸到所述埋层的第一部分(115a)，和在所述内封闭区之内的第二部分(115b)。所述第二部分(115b)不延伸至所述半导体表面(106)的所述顶侧(106a)。 | ||
| 申请公布号 | CN105393358A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201480037806.6 | 申请日期 | 2014.07.02 |
| 申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | H·L·爱德华兹;A·A·萨尔曼 |
| 分类号 | H01L29/72(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/72(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵志刚;赵蓉民 |
| 主权项 | 一种双极晶体管，包括：具有半导体表面的衬底；第一沟槽封装件和在所述第一沟槽封装件外面的第二沟槽封装件，所述第一沟槽封装件和所述第二沟槽封装件均至少内衬有电介质，所述电介质从所述半导体表面的顶侧向下延伸至沟槽深度，所述第一沟槽封装件限定内封闭区；在所述内封闭区之内的基极和形成于所述基极中的发射极；在所述沟槽深度下面的埋层，包括在所述基极下方；以及沉块扩散区，所述沉块扩散区包括：在所述第一沟槽封装件和所述第二沟槽封装件之间的从所述半导体表面的所述顶侧延伸到所述埋层的第一部分，和在所述内封闭区之内的第二部分，其中所述第二部分不延伸至所述半导体表面的所述顶侧。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||