半导体光检测元件

摘要

半导体光检测元件（1A）具备：硅基板（2），具有半导体层（21）、以及在半导体层（21）上生长且具有比半导体层（21）低的杂质浓度的外延半导体层（20）；导体，设置在外延半导体层（20）表面上。在外延半导体层（20），形成有光感应区域。在半导体层（21）的至少与光感应区域相对的表面（2BK），形成有不规则的凹凸（22）。不规则的凹凸（22）光学性地露出。

主权项

一种半导体光检测元件，其特征在于：具备：硅基板，具有：具有第1杂质浓度的半导体层、以及在所述半导体层上生长且具有比所述第1杂质浓度低的第2杂质浓度的外延半导体层；以及导体，设置在所述外延半导体层的表面上，在所述外延半导体层，形成有光感应区域，在具有比所述外延半导体层高的杂质浓度的所述半导体层的至少与所述光感应区域相对的表面，通过脉冲激光的照射而形成有不规则的凹凸，所述不规则的凹凸光学性地露出，入射到所述硅基板的光在由脉冲激光的照射形成的所述不规则的凹凸上被反射、散射或扩散，而在所述硅基板内行进。