发明名称 半导体光学器件
摘要 一种半导体光学器件包括:第一包覆层、第二包覆层以及夹设于第一包覆层与第二包覆层之间的光波导层;其中该光波导层包括:第一半导体层;第二半导体层,布置在第一半导体层上且沿一个方向延伸;以及第三半导体层,覆盖第二半导体层的顶表面;以及其中该第一半导体层包括:n型区域,布置在第二半导体层的一侧;p型区域,布置在第二半导体层的另一侧;以及i型区域,布置在n型区域与p型区域之间,以及其中第二半导体层的带隙比第一半导体层和第三半导体层的带隙窄。采用该半导体光学器件,可以减少半导体光学器件的功率消耗或缩短器件长度。
申请公布号 CN103137777B 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201210383495.1 申请日期 2012.10.11
申请人 富士通株式会社 发明人 朱雷;关口茂昭;田中信介;河口研一
分类号 H01L31/167(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I 主分类号 H01L31/167(2006.01)I
代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人 石海霞;郑特强
主权项 一种半导体光学器件,包括:第一包覆层、第二包覆层以及夹设于所述第一包覆层和所述第二包覆层之间的光波导层,其中所述光波导层包括:第一半导体层;第二半导体层,布置在所述第一半导体层上且沿一个方向延伸;以及第三半导体层,覆盖所述第二半导体层的顶表面,其中所述第一半导体层包括:n型区域,布置在所述第二半导体层的一侧;p型区域,布置在所述第二半导体层的另一侧;以及i型区域,布置在所述n型区域与所述p型区域之间,其中所述第二半导体层的带隙比所述第一半导体层和所述第三半导体层的带隙窄,其中所述半导体光学器件还包括连接到所述n型区域的第一电极和连接到所述p型区域的第二电极,并且其中从n型区域移动到i型区域的电子聚集到第二半导体层中,从p型区域移动到i型区域的空穴聚集到第二半导体层中。
地址 日本国神奈川县川崎市