形成半导体装置的方法

摘要

根据本发明的实施方式提供了制造半导体装置的方法，包括从衬底的顶表面形成沟槽，所述衬底具有装置区域。与相对的底表面相比，装置区域更邻近顶表面。所述沟槽围绕装置区域的侧壁。所述沟槽填充以粘合剂。粘性层形成在衬底的顶表面上。承载件用粘性层附接。从底表面减薄衬底以便使粘性层的至少一部分以及装置区域的背部表面暴露。去除粘性层并且蚀刻粘合剂以便使装置区与的侧壁暴露。

主权项

一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：从衬底的顶表面形成沟槽，所述衬底包括装置区域，与相对的底表面相比，所述装置区域更邻近所述顶表面，所述沟槽围绕所述装置区域的侧壁；用粘合剂填充所述沟槽；在所述衬底的所述顶表面上形成粘性层；用所述粘性层附接承载件；从所述底表面减薄所述衬底，以便使所述粘合剂的至少一部分以及所述装置区域的背部表面暴露；去除所述粘性层；以及蚀刻所述粘合剂，以便使所述装置区域的侧壁暴露；其中，在填充所述沟槽之前用胶层对所述装置区域的所述侧壁加内衬，所述胶层具有与所述粘性层不同的组分。