半导体镀金属的改进方法

摘要

本发明涉及一种半导体镀金属的改进方法。将金属底层选择性地镀在半导体晶片上，随即使用低内应力铜镀液在金属底层上镀铜。可以用常规金属镀浴和方法进行附加的金属化来建立金属层从而形成电流轨迹。金属硅化物的形成得到避免。获得了金属与半导体之间优良的结合力。金属化的半导体可用于光伏器件的制造。

主权项

一种半导体镀金属的方法，主要由以下步骤组成：a)提供包括正面、背面和pn结的半导体，所述正面包括导电轨迹图案和汇流条，导电轨迹和汇流条包括底层，以及背面包括金属接触层；b)将半导体与包含氧化铜的低内应力镀铜组合物接触；c)通过光引发镀覆在导电轨迹和汇流条的底层附近镀覆低内应力铜层；以及d)通过低熔点的粘结剂、感应焊或激光焊在200℃或更低的温度下将互连带连接到汇流条；对半导体进行镀覆的方法不包括烧结。