| 发明名称 | 金属惰性外延结构 | ||
| 摘要 | 根据一些实施例，本发明提供了一种形成场效应晶体管(FET)的方法。该方法包括对半导体衬底实施蚀刻工艺，从而在半导体衬底的源极和漏极(S/D)区域中形成凹槽；在凹槽中形成第一半导体的钝化材料层；以及外延生长第二半导体材料，从而在凹槽中形成S/D部件，其中S/D部件通过钝化材料层与半导体衬底间隔开。本发明还涉及金属惰性外延结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105390398A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201510323653.8 | 申请日期 | 2015.06.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡俊雄;黄远国 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种形成场效应晶体管(FET)的方法，所述方法包括：对半导体衬底实施蚀刻工艺，从而在所述半导体衬底的源极和漏极(S/D)区域中形成凹槽；在所述凹槽中形成第一半导体的钝化材料层；以及外延生长第二半导体材料，从而在所述凹槽中形成S/D部件，其中，所述S/D部件通过所述钝化材料层与所述半导体衬底间隔开。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||