发明名称 |
具有规则布置场电极结构和终端结构的半导体器件 |
摘要 |
本发明涉及具有规则布置场电极结构和终端结构的半导体器件。半导体器件(500)包括规则地布置在单元区域(610)中的行中并形成规则图案的第一部分的场电极结构(160)。终端结构(180)在围绕单元区域(610)的内边缘区域(691)中形成,其中终端结构(180)的至少部分形成规则图案的第二部分。单元台面(170)使场电极结构(160)的相邻场电极结构在单元区域(610)中彼此分离并包括漂移区(121)的第一部分(121a),其中施加到栅电极(150)的电压控制穿过单元台面(170)的电流流动。至少一个掺杂区(186)在内边缘区域(691)中与漂移区(121)形成同质结。 |
申请公布号 |
CN105390530A |
申请公布日期 |
2016.03.09 |
申请号 |
CN201510538350.8 |
申请日期 |
2015.08.28 |
申请人 |
英飞凌科技奥地利有限公司 |
发明人 |
O.布兰克;F.希尔勒;M.胡茨勒;M.珀尔茨尔;R.西米尼克 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
王岳;胡莉莉 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:场电极结构(160),其被规则地布置在单元区域(610)中并形成规则图案的第一部分;终端结构(180),其在围绕所述单元区域(610)的内边缘区域(691)中形成,其中所述终端结构(180)的至少部分形成所述规则图案的第二部分;单元台面(160),其使所述场电极结构(160)的相邻场电极结构在所述单元区域(610)中彼此分离,并包括漂移区(121)的第一部分(121a);栅电极(150),其中施加到所述栅电极(150)的电压控制穿过所述单元台面(170)的电流流动;以及至少一个掺杂区(186),其在所述内边缘区域(691)中与所述漂移区(121)形成同质结。 |
地址 |
奥地利菲拉赫 |