忆阻器交叉阵列的参数配置方法

摘要

本发明公开了一种忆阻器交叉阵列的参数配置方法，包括以下步骤：S1：获取忆阻器模型、矩阵参数、矩阵大小和工艺节点；S2：对可配置参数进行初始化；S3：将矩阵参数映射至忆阻器参数中；S4：确定交叉阵列的输入电压向量幅值，以获取交叉阵列进行模拟矩阵向量乘法的精度和功耗；S5：如果精度和功耗满足配置条件，则输出当前配置方案；S6：如果精度和功耗不满足配置条件，则进行进一步调整，并转至S3。本发明实施例的配置方法可以克服电路实际非理想因素，从而应用于模拟矩阵向量乘法运算，提高运算精度，同时优化功耗参数，有效地将矩阵向量乘法的参数映射至交叉阵列电路中的参数中，简单便捷。

主权项

一种忆阻器交叉阵列的参数配置方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：获取忆阻器模型、模拟矩阵向量乘法的矩阵参数、所述模拟矩阵向量乘法的矩阵大小和工艺节点；S2：对忆阻器交叉阵列的配置参数进行初始化，所述配置参数包括输出端口的负载电阻、忆阻器的最大电阻值和最小电阻值中的一个或多个参数；S3：根据所述配置参数将所述矩阵参数映射至所述交叉阵列中忆阻器模型的忆阻器参数中；S4：确定交叉阵列的输入电压向量幅值，以根据输入电压向量幅值、映射后的忆阻器模型、所述矩阵大小和所述工艺节点获取所述交叉阵列进行模拟矩阵向量乘法的精度和功耗；S5：如果所述精度和功耗满足配置条件，则输出当前输出端口的负载电阻、忆阻器的最大电阻值和最小电阻值中的一个或多个参数；以及S6：如果所述精度和功耗不满足所述配置条件，则对所述配置参数进行调整，并转至所述S3。