| 发明名称 | 光电子半导体芯片 | ||
| 摘要 | 提出一种光电子半导体芯片，其中是ALD层的封装层(13)完全地遮盖第一镜层(21)的背离p型传导的区域(3)的侧并且所述封装层局部地与第一镜层(21)直接接触。 | ||
| 申请公布号 | CN105393369A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201480040795.7 | 申请日期 | 2014.06.25 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 卡尔·恩格尔;格奥尔格·哈通;约翰·艾布尔;迈克尔·胡贝尔;马库斯·毛特 |
| 分类号 | H01L33/44(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I;H01L33/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 丁永凡;张春水 |
| 主权项 | 一种光电子半导体芯片，具有：‑半导体本体(10)，所述半导体本体包括n型传导的区域(2)、设置用于产生电磁辐射的有源区域(4)和p型传导的区域(3)；‑第一镜层(21)，所述第一镜层设置用于反射电磁辐射；‑第一封装层(11)，所述第一封装层通过电绝缘的材料形成；‑第二封装层(12)，所述第二封装层通过电绝缘的材料形成；和‑第三封装层(13)，所述第三封装层通过电绝缘的材料形成，其中‑所述第一镜层(21)设置在所述p型传导的区域(3)的下侧上，‑所述有源区域(4)设置在所述p型传导的区域(3)的背离所述第一镜层(21)的侧上，‑所述n型传导的区域(2)设置在所述有源区域(4)的背离所述p型传导的区域(3)的侧上，‑所述第一封装层、第二封装层和第三封装层(11、12、13)局部地覆盖所述半导体本体(10)的外面，‑所述第三封装层(13)完全地遮盖所述第一镜层(21)的背离所述p型传导的区域(3)的侧并且局部地与所述第一镜层(21)直接接触，‑所述第二封装层(12)和所述第三封装层(13)在所述第一镜层(21)的侧向的区域中局部地彼此直接接触，并且‑所述第二封装层(12)和所述第三封装层(13)是ALD层。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||