| 发明名称 | 包括带电荷体侧墙的CMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了包括带电荷体侧墙的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件及其制造方法。根据实施例，CMOS器件可以包括n型器件和p型器件，n型器件和p型器件各自均可以包括：在衬底上依次形成的构图的第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层和第二半导体层被构图为鳍状结构，且第一半导体层相对于第二半导体层横向凹入；在所述横向凹入中形成的体侧墙，体侧墙包括电介质材料；在衬底上形成的隔离层，所述隔离层的顶面位于第一半导体层的顶面和底面之间，其中鳍状结构在隔离层上方的部分充当该n型器件或p型器件的鳍；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠，其中，体侧墙带有电荷。 | ||
| 申请公布号 | CN105390497A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201510744882.7 | 申请日期 | 2015.11.05 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;魏星 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种互补金属氧化物半导体CMOS器件，包括n型器件和p型器件，其中，n型器件和p型器件各自均包括：在衬底上依次形成的构图的第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层和第二半导体层被构图为鳍状结构，且第一半导体层相对于第二半导体层横向凹入；在所述横向凹入中形成的体侧墙，体侧墙包括电介质材料；在衬底上形成的隔离层，所述隔离层的顶面位于第一半导体层的顶面和底面之间，其中鳍状结构在隔离层上方的部分充当该n型器件或p型器件的鳍；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠，其中，体侧墙带有电荷。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||