| 发明名称 | 用于制造外延半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于制造经外延涂布的半导体晶片的方法，其中提供一个至少在其正面上经抛光的半导体晶片，放在单晶片外延反应器中的基座上，并通过利用化学气相沉积于1000至1200℃的温度下在其经抛光的正面上施加外延层而进行涂布，其特征在于，在实施外延涂布之后在1200℃至900℃的温度范围内以小于5℃/s的速率冷却该半导体晶片。此外，在另一个用于制造经外延涂布的半导体晶片的方法，在实施外延涂布之后在沉积温度下抬起该半导体晶片1至60秒，以确保由沉积的半导体材料在基座与晶片之间产生的连接断开，然后冷却该晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN102174692B | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201110094728.1 | 申请日期 | 2009.05.07 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | R·绍尔;C·哈格尔 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 用于制造经外延涂布的半导体晶片的方法，其中提供一个至少在其正面上经抛光的半导体晶片，放在单晶片外延反应器中的基座上，并利用化学气相沉积于1000至1200℃的沉积温度下在其经抛光的正面上施加外延层，由此进行涂布，其特征在于，在实施外延涂布之后在沉积温度下抬起该半导体晶片1至60秒，以确保由沉积的半导体材料在基座与晶片之间产生的连接断开，然后冷却该晶片，其中在1200℃至900℃的温度范围内以小于5℃/s的速率冷却该晶片。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||