一种采用转移法制作碳纳米管柔性微凸点的方法

摘要

本发明揭示了一种用于微电子封装中的碳纳米管柔性凸点的制作方法。本发明中碳纳米管柔性凸点的制作方法是通过低温转移的方式把生长在其它基底上的碳纳米管束经过致密化处理后移植到半导体基底上制作成柔性微凸点。由于碳纳米管束具有一定的弹性和柔韧性，因此，利用碳纳米管束制作微凸点可以一定程度上缓解互连中热应力引起的失效问题。同时由于碳纳米管具有优秀的电学性能，如超高的电导率和超过10⁹A/cm²的电流密度，因此，利用碳纳米管作为微凸点不但具有良好的电传输性能，而且还可以解决金属凸点的电迁移问题。本发明具有操作简单，兼容半导体工艺。

主权项

一种制作碳纳米管柔性微凸点的方法，该方法包括以下步骤：1)制作第一半导体基底接触焊盘；2)制作致密化的碳纳米管束，其特征在于，对在金属催化剂薄膜(B201)上生长的垂直碳纳米管束阵列(B301)进行致密化处理；3)将碳纳米管束转移到第一半导体基底上，其特征在于，a)加热第一半导体基底(A100)使其内部电镀的无铅焊料熔化；b)倒置生长碳纳米管束阵列的第二半导体基底(B100)，并使碳纳米管束(B301)顶端与无铅焊料金属薄膜(A601)一一对准；c)把碳纳米管束(B301)压入熔融的无铅焊料中，降低温度使无铅焊料固化；d)移除碳纳米管束阵列的第二半导体基底(B100)；4)在移除碳纳米管束阵列的第二半导体基底(B100)后再次对碳纳米管束阵列进行致密化处理，完成碳纳米管束转移和碳纳米管柔性凸点的制作。