| 发明名称 | 低温多晶硅TFT基板及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种低温多晶硅TFT基板及其制作方法。本发明的低温多晶硅TFT基板，沟道区上方设有金属层，可将所述金属层、及源极与漏极作为光罩，在多晶硅层上形成轻掺杂漏区，减少形成轻掺杂漏区所单独需要的光罩；同时由于增加了一层与多晶硅层沟道区相连的金属层，可以有效降低沟道区的电阻，提高TFT的开态电流。本发明的低温多晶硅TFT基板的制作方法，通过在形成源极与漏极的同时，在沟道区上方形成金属层，并将金属层、及源极与漏极作为光罩，在多晶硅层上形成轻掺杂漏区，减少了形成轻掺杂漏区所单独需要的光罩，从而节省了生产成本，提高了产能。 | ||
| 申请公布号 | CN105390510A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201510936669.6 | 申请日期 | 2015.12.14 |
| 申请人 | 武汉华星光电技术有限公司 | 发明人 | 陈归;龚强 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种低温多晶硅TFT基板，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的栅极(2)、设于所述基板(1)与栅极(2)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上的多晶硅层(4)、设于所述栅极绝缘层(3)与多晶硅层(4)上的源极(5)与漏极(6)、及设于所述多晶硅层(4)上且位于所述源极(5)与漏极(6)之间的金属层(7)；所述多晶硅层(4)包括位于两侧且分别与所述源极(5)与漏极(6)相接触的源/漏极接触区(41)、位于所述金属层(7)下方的沟道区(42)、及位于所述源/漏极接触区(41)与沟道区(42)之间的轻掺杂漏区(43)。 | ||
| 地址 | 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 | ||