发明名称 ウエハレベルのシンギュレーションのための方法
摘要 A method of singulating a plurality of semiconductor dies includes providing a carrier substrate and joining a semiconductor substrate to the carrier substrate. The semiconductor substrate includes a plurality of devices. The method also includes forming a mask layer on the semiconductor substrate, exposing a predetermined portion of the mask layer to light, and processing the predetermined portion of the mask layer to form a predetermined mask pattern on the semiconductor substrate. The method further includes forming the plurality of semiconductor dies, each of the plurality of semiconductor dies being associated with the predetermined mask pattern and including one or more of the plurality of devices and separating the plurality of semiconductor dies from the carrier substrate.
申请公布号 JP5882364(B2) 申请公布日期 2016.03.09
申请号 JP20130554654 申请日期 2012.02.17
申请人 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドAPPLIED MATERIALS,INCORPORATED 发明人 シューグラフ, クラウス;ラマスワミ, シシャドリ;ライス, マイケル アール.;サレク, モーセン エス.;ビョルクマン, クラエス エイチ.
分类号 H01L21/301;B23K26/36;H01L21/02 主分类号 H01L21/301
代理机构 代理人
主权项
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