| 发明名称 | 一种具有高稳定性的介孔复合半导体材料的原位生长制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有高稳定性的介孔复合半导体材料的原位生长制备方法，步骤包括：（1）将六元环固态有机物与g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>前驱体按1～50mg：1～20g的比例混合，研磨；（2）将研磨后的混合物在500～750℃保温2～12小时，煅烧得到改性的类石墨氮化碳材料；（3）将改性的类石墨氮化碳材料分散在溶剂中，加入MoS<sub>2</sub>前驱体，超声分散，其中，所述改性的类石墨氮化碳材料、所述MoS<sub>2</sub>前驱体、所述溶剂的比例为0.1～0.5g：10～100mg：10～50ml；（4）将得到的溶液转移到水热釜中，在120～200℃下反应8～24小时，冷却、离心、干燥，得到MoS<sub>2</sub>/mg-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合半导体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105381811A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201510671661.1 | 申请日期 | 2015.10.15 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 李孟丽;张玲霞;杜燕燕;吴玫颖;王敏;施剑林 |
| 分类号 | B01J27/24(2006.01)I;B01J35/10(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | B01J27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种具有较高催化稳定性的介孔复合半导体材料的原位生长制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将六元环固态有机物与g‑C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>前驱体按照1～50 mg：1～20 g的比例混合，研磨；（2）将步骤（1）研磨后的混合物在500～750 ℃保温2～12小时，煅烧得到改性的类石墨氮化碳材料；（3）将步骤（2）得到的改性的类石墨氮化碳材料分散在溶剂中，加入MoS<sub>2</sub>前驱体，超声分散，其中，所述改性的类石墨氮化碳材料、所述MoS<sub>2</sub>前驱体、所述溶剂的比例为0.1～0.5 g：10～100 mg：10～50 ml； （4）将步骤（3）得到的溶液转移到水热釜中，在120～200 ℃下反应8～24小时，冷却、离心、干燥，得到MoS<sub>2</sub>/mg‑C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合半导体材料。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||