| 发明名称 | 显示装置、阵列基板及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种显示装置、阵列基板及其制作方法，包括：提供一基板，所述基板包括衬底以及位于所述衬底表面的TFT阵列；在所述基板的TFT阵列表面形成第一电极层；在所述第一电极层表面形成具有多个第一电极图案和位于所述第一电极图案之间的至少一个填充图案的掩膜；对具有掩膜的第一电极层进行刻蚀形成多个第一电极，其中，在所述刻蚀的过程中，所述填充图案覆盖的所述第一电极层部分或全部刻蚀。本发明通过第一电极图案之间的填充图案来增大第一电极图案的图案密度，以避免在第一电极的刻蚀过程中出现第一电极过刻或刻蚀不均匀的问题，解决由此引起的显示屏暗点等缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN105390506A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201510790716.0 | 申请日期 | 2015.11.17 |
| 申请人 | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 | 发明人 | 张鹏;李玥;周益敏;沈洵 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板包括衬底以及位于所述衬底表面的TFT阵列；在所述基板的TFT阵列表面形成第一电极层；在所述第一电极层表面形成具有多个第一电极图案和位于所述第一电极图案之间的至少一个填充图案的掩膜；对具有掩膜的第一电极层进行刻蚀形成多个第一电极，其中，在所述刻蚀的过程中，所述填充图案覆盖的所述第一电极层部分或全部刻蚀。 | ||
| 地址 | 200245 上海市浦东新区龙东大道6111号1幢509室 | ||