| 发明名称 | LED外延层生长方法及通过此方法获得的LED芯片 | ||
| 摘要 | 本申请公开LED外延层生长方法及通过此方法获得的LED芯片，生长掺杂Mg的P型GaN层为：在N<sub>2</sub>气氛下，在电子阻挡层上生长掺杂Mg的厚度为40nm-80nm第一P型GaN层；将反应室温度升至1070℃-1140℃，反应室压力为400mbar-700mbar，在H<sub>2</sub>和N<sub>2</sub>混合气氛下，在第一P型GaN层上生长掺杂Mg的第二P型GaN层；将反应室温度升至1070℃-1140℃，反应室压力为200mbar-400mbar，在H<sub>2</sub>和N<sub>2</sub>混合气氛下，在第二P型GaN层上生长掺杂Mg的第三P型GaN层，以提高LED器件的抗静电性能以及发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105390574A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201510737049.X | 申请日期 | 2015.11.03 |
| 申请人 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发明人 | 刘为刚;曾莹 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人 | 马佑平 |
| 主权项 | 一种LED外延层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长MQW有源层、生长电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其特征在于，所述生长掺杂Mg的P型GaN层进一步为：将反应室温度升至1000℃‑1070℃，反应室压力为400mbar‑700mbar，在N<sub>2</sub>气氛下，在所述电子阻挡层上生长掺杂Mg的厚度为40nm‑80nm第一P型GaN层；将反应室温度升至1070℃‑1140℃，反应室压力为400mbar‑700mbar，在H<sub>2</sub>和N<sub>2</sub>混合气氛下，在所述第一P型GaN层上生长掺杂Mg的厚度为30nm‑70nm的第二P型GaN层；将反应室温度升至1070℃‑1140℃，反应室压力为200mbar‑400mbar，在H<sub>2</sub>和N<sub>2</sub>混合气氛下，在所述第二P型GaN层上生长掺杂Mg的厚度为4nm‑10nm的第三P型GaN层。 | ||
| 地址 | 423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区 | ||