| 摘要 |
본 발명은, 제1 및 제2 말단이 전극에 의해 경계지어진 비아를 내부에 갖는 기판을 포함하는 메모리 셀 구조를 제공한다. 비아는 GST 물질로 비아의 측면 표면이 코팅되어 코어를 형성하고, 상기 코어는 중공이거나 또는 예컨대 게르마늄 또는 유전체 물질로 적어도 부분적으로 충전된다. 이러한 메모리 셀 구조 하나 이상이 상 변화 메모리 디바이스에 집적될 수 있다. 또한, 메모리 셀 구조는, 하나의 말단이 하부 전극으로 폐쇄된 비아를 포함하는 기판에서, 비아의 측면 표면 및 비아를 둘러싸는 하부 전극의 표면을 GST 물질 막으로 등각 코팅하여 GST 물질 막에 의해 경계지어진 개방된 코어 부피를 형성하는 단계; GST 물질 막을 어닐링하는 단계; 및 비아의 상부 위치에 상부 전극을 형성하는 단계에 의해 제작될 수 있다. |
