| 摘要 |
본 발명은 불휘발성 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 불휘발성 메모리 장치는 셀 당 하나 또는 그 이상의 비트를 저장하도록 구성되는 메모리 셀 어레이, 메모리 셀 어레이를 액세스하도록 구성되는 읽기 및 쓰기 회로, 메모리 셀 어레이의 선택 메모리 셀의 읽기 동작을 적어도 두 번 수행하고, 읽기 동작의 결과로서 읽기 데이터 심볼을 출력하도록 상기 읽기 및 쓰기 회로를 제어하는 제어 로직, 그리고 읽기 데이터 심볼의 패턴에 기반하여 상기 읽기 데이터 심볼의 에러를 정정하고, 에러 정정된 심볼을 출력하도록 구성되는 에러 정정부를 포함한다. |
