适用于铜制程的半导体装置

摘要

一种适用于铜制程的半导体装置，包含本体及至少一组电极结构，本体以氮化镓系半导体为主要材料构成，电极结构与外部电路电连接并包括形成于本体上且与本体欧姆接触的欧姆接触层、形成于欧姆接触层上的抑制层及形成于抑制层上且以铜为主成份的导线层，构成欧姆接触层的材料选自钛、铝、镍及至少包含上述元素中的一种的合金，构成抑制层的材料选自钛、钨、氮及以其中的至少一种为主成份构成的材料。本发明以欧姆接触层及抑制层搭配本体以阻挡导线层中的铜扩散进入本体中，而维持稳定的电特性及可靠度。

主权项

一种适用于铜制程的半导体装置，包含一个以氮化镓系半导体为主要材料构成的本体及至少一组与该本体电连接并用于与外部电路电连接的电极结构；其特征在于，该电极结构包括一层形成于该本体上并与该本体形成欧姆接触的欧姆接触层、一层形成于该欧姆接触层上的抑制层及一层形成于该抑制层上且以铜为主成份的导线层，构成该欧姆接触层的材料为先将钛、铝及镍依序沉积在该本体上、再进行高温退火所形成的合金，构成该抑制层的材料为钛。