| 发明名称 | 发光二极管芯片和用于制造发光二极管芯片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种发光二极管芯片，其具有：n型半导体层（3）；p型半导体层（4）；在n型半导体层（3）和p型半导体层（4）之间的有源区域（2）；侧面（14），所述侧面在侧向方向上对n型半导体层（3）、p型半导体层（4）和有源区域（2）限界；掺杂区域（1），在所述掺杂区域中将掺杂物质引入半导体芯片的半导体材料中；和/或中和区域（1），其中掺杂区域（1）和/或中和区域（1）在所述侧面（14）上至少构造在有源区域的区域中，并且发光二极管芯片在工作时设置为用于发射非相干电磁辐射。 | ||
| 申请公布号 | CN102986043B | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201180033939.2 | 申请日期 | 2011.06.17 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 贝恩德·迈尔;沃尔夫冈·施密德 |
| 分类号 | H01L33/44(2006.01)I;H01L33/20(2006.01)I;H01L33/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;田军锋 |
| 主权项 | 发光二极管芯片，具有：‑n型半导体层(3)；‑p型半导体层(4)；‑在所述n型半导体层(3)和所述p型半导体层(4)之间的有源区域(2)；‑侧面(14)，所述侧面在侧向方向上对所述n型半导体层(3)、所述p型半导体层(4)和所述有源区域(2)限界；以及‑掺杂区域，在所述掺杂区域中将掺杂物质引入所述半导体芯片的半导体材料中；和/或‑中和区域，其中‑所述掺杂区域和/或所述中和区域在所述侧面(14)上至少构造在所述有源区域的区域中，并且‑所述发光二极管芯片在工作时设置为用于发射非相干电磁辐射，并且‑所述掺杂区域和/或所述中和区域构成所述侧面(14)上的电钝化部。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||