发明名称 |
一种绝缘基片上原位多孔氧化铝膜的制备方法 |
摘要 |
一种绝缘基片上原位多孔氧化铝膜的制备方法,其特征在于步骤为:1)在绝缘基片上镀上一层厚度为100nm-10μm的光滑铝膜;2)将步骤1)中得到的镀有铝膜的基片,浸在草酸电解液中进行预阳极氧化;3)扫描阳极氧化:将步骤2)中经过预阳极氧化的基片,从电解槽中取出清洗去除吸附的草酸电解液;将电解槽的草酸电解液移出,将洗净的基片放回电解槽,然后用蠕动泵将移出的草酸电解液匀速泵回电解槽,保持电解槽中液面匀速上升,当电解液的液面从基片的底部匀速扫过整个预氧化基片后,基片上预氧化步骤中尚未氧化的残余铝层随着电解液的匀速上升,依次完成阳极氧化过程,从而在绝缘基片上获得均匀高质量的原位多孔阳极氧化铝膜层;4)氧化退火。本发明制备工艺简单、制造成本低,可以在各种形貌的绝缘基片上原位镀制大面积多孔阳极氧化铝膜。 |
申请公布号 |
CN103668381B |
申请公布日期 |
2016.03.09 |
申请号 |
CN201210323155.X |
申请日期 |
2012.09.04 |
申请人 |
中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
发明人 |
王彪;许高杰 |
分类号 |
C25D11/04(2006.01)I;C25D11/18(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I |
主分类号 |
C25D11/04(2006.01)I |
代理机构 |
宁波诚源专利事务所有限公司 33102 |
代理人 |
袁忠卫 |
主权项 |
一种绝缘基片上原位多孔氧化铝膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)镀铝膜:采用溅射或蒸发方法,在绝缘基片上镀上一层厚度为100nm‑10μm的光滑铝膜;2)铝膜预阳极氧化:将步骤1)中得到的镀有铝膜的基片,浸在一定温度和浓度的草酸电解液中进行阳极氧化,当镀铝基片的铝层在最靠近氧化电解槽阳极的部位变得半透明,停止预阳极氧化;3)扫描阳极氧化:将步骤2)中经过预阳极氧化的基片,从电解槽中取出清洗,洗去基片吸附的草酸电解液;再将电解槽的草酸电解液移出,将洗净的基片放回电解槽,然后用蠕动泵将移出的草酸电解液匀速泵回电解槽,保持电解槽中液面匀速上升,当电解液的液面从基片的底部匀速扫过整个预氧化基片后,基片上预氧化步骤中尚未氧化的残余铝层随着电解液的匀速上升,依次完成阳极氧化过程,从而在绝缘基片上获得均匀高质量的原位多孔阳极氧化铝膜层;4)氧化退火:将步骤3)得到的样品洗干净后晾干,放入电炉中进行退火氧化,即获得在绝缘基片上镀制有原位多孔阳极氧化铝膜的样品。 |
地址 |
315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 |