发明名称 高频放大电路
摘要 本发明涉及高频放大电路。提供了提高沿反方向流动的信号的截断特性并且使电源电压变低而能省电力化的高频放大电路。由共源共栅连接的2个NMOS晶体管构成的第一放大部和由共源共栅连接的2个PMOS晶体管构成的第二放大部经由中间电位线而共源共栅连接。向第一放大部供给偏置电压的第一偏置部和向第二放大部供给偏置电压的第二偏置部连接于向两端供给电源电位和接地电位的不同的电流路径,分别生成偏置电压。在构成电流控制部的运算放大器中,反相输入端子连接于中间电位线,向非反相输入端子施加直流电压。电流控制部基于所施加的直流电压与中间电位线的电位的差来控制第二偏置部的工作电流。
申请公布号 CN105391413A 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201510538545.2 申请日期 2015.08.28
申请人 拉碧斯半导体株式会社 发明人 四辻哲章
分类号 H03F3/193(2006.01)I 主分类号 H03F3/193(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 王岳;陈岚
主权项 一种高频放大电路,对所输入的高频信号进行放大并输出,所述高频放大电路的特征在于,具有:第一放大部,对从输入端子输入的高频信号进行放大来生成高频放大信号;第二放大部,进一步对所述高频放大信号进行放大来生成输出信号,并从输出端子输出;第一偏置部,将偏置电压供给到所述第一放大部;第二偏置部,将偏置电压供给到所述第二放大部;中间电位线,将第一电位和第二电位之间的中间电位供给到所述第一放大部和所述第二放大部;电流生成部,生成所述第一偏置部的工作电流;以及电流控制部,连接于所述中间电位线,基于所述中间电位来控制所述第二偏置部的工作电流,所述第一放大部包括向源极端子供给所述第一电位的第一导电型的第一晶体管、以及连接于所述中间电位线的第一电感器,所述第二放大部包括在源极端子接受所述第二电位的供给的与所述第一导电型相反导电型的第二导电型的第二晶体管、以及连接于所述中间电位线的第二电感器。
地址 日本神奈川县横滨市