| 发明名称 | 一种超宽带频段合成电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种超宽带频段合成电路，包括直通通路和耦合通路，所述直通通路两端设置有低频段输入端口和合成输出端口，所述耦合通路两端设置有高频段输入端口和负载端口，所述直通通路和耦合通路由微带线组成，所述微带线由陶瓷片或白宝石片制成，所述微带线厚度和宽度均为0.127mm，所述微带线之间耦合缝隙为0.127mm，该超宽带频段合成电路能够满足250KHz-70GHz频段合成带宽要求、承受功率较大、频率高端损耗小于传统方法，节约高端功率。 | ||
| 申请公布号 | CN105390784A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201510808872.5 | 申请日期 | 2015.11.19 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 发明人 | 范国清;赵爱英;孙龙华;韩恒敏 |
| 分类号 | H01P1/213(2006.01)I | 主分类号 | H01P1/213(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 龚燮英 |
| 主权项 | 一种超宽带频段合成电路，其特征在于：包括直通通路和耦合通路，所述直通通路两端设置有低频段输入端口和合成输出端口，所述耦合通路两端设置有高频段输入端口和负载端口，所述直通通路和耦合通路由微带线组成，所述微带线由陶瓷片或白宝石片制成，所述微带线厚度和宽度均为0.127mm，所述微带线之间耦合缝隙0.127mm。 | ||
| 地址 | 266000 山东省青岛市经济技术开发区香江路98号 | ||