HEMT器件和方法

摘要

HEMT器件包括III族氮化物材料衬底，所述III族氮化物材料衬底的表面沿着与III族氮化物材料的C-面不平行的平面；在所述衬底上生长的III族氮化物材料的外延层；在所述外延层中蚀刻的凹槽，其具有与III族氮化物材料的极性平面平行的至少一个平面壁；在凹槽的一部分平面壁上形成的载流子供应层，使得沿凹槽的所述部分平面壁形成2DEG区；在所述外延层的表面处形成的掺杂源区使得所述掺杂源区与所述2DEG区被外延层的沟道区隔开；在外延层的沟道区上形成的栅极绝缘层；和在栅极绝缘层上形成的栅极接触层。

主权项

一种HEMT器件，包括：III族氮化物材料衬底，所述III族氮化物材料衬底的表面沿着与所述III族氮化物材料的C‑面不平行的平面；在所述衬底上生长的III族氮化物材料的外延层；在所述外延层中蚀刻的凹槽，所述凹槽具有与所述衬底的所述表面不平行的至少一个平面壁；所述至少一个平面壁与所述III族氮化物材料的极性平面平行；在所述凹槽的所述至少一个平面壁的至少一部分上形成的至少一个载流子供应层，使得沿所述凹槽的所述至少一个平面壁的所述至少一部分形成2DEG区；在所述外延层的所述表面处形成的掺杂源区使得所述掺杂源区与所述2DEG区被所述外延层的沟道区隔开；在所述外延层的所述沟道区上形成的栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上形成的栅极接触层。