发明名称 |
太阳能电池和其生产方法 |
摘要 |
本发明涉及太阳能电池(1),其包含半导体晶片(3),布置在半导体晶片(3)上的至少一个介电层(5),布置在该介电层上的金属层(7),以及布置在介电层(5)中的接触结构,使得该接触结构提供在金属层(7)和半导体晶片(3)之间的电连接,其中该接触结构带有至少一个具最小维度的第一结构(9a)和至少一个具最大维度的第二结构(9b),其中该最小维度和该最大维度沿着半导体晶片(3)的表面被限定,而第一结构(9a)的最小维度大于第二结构(9b)的最大维度。此外,本发明涉及生产太阳能电池的方法,其包含以下方法步骤:提供带有至少一个介电层(5)的半导体晶片(3),在介电层(5)上形成金属层(7)以及在介电层(5)中布置接触结构,使得该接触结构提供在金属层(7)和半导体晶片(3)之间的电连接,其中至少一个带有最小维度的第一结构(9a)和至少一个带有最大维度的第二结构(9b)被形成为接触结构,使得第一结构(9a)的最小维度大于第二结构(9b)的最大维度。 |
申请公布号 |
CN103765601B |
申请公布日期 |
2016.03.09 |
申请号 |
CN201280035113.4 |
申请日期 |
2012.06.26 |
申请人 |
汉华Q电池有限公司 |
发明人 |
A·斯捷科利尼科夫;R·塞甘;M·科允塔普;M·舍夫;彼得·恩格尔哈特;M·海曼;T·巴特尔;M·特雷格 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 |
代理人 |
陈酩;翟羽 |
主权项 |
太阳能电池(1、31),其包含半导体晶片(3、33),布置在半导体晶片(3、33)上的至少一个介电层(5、35),布置在该介电层上的金属层(7、37),以及布置在介电层(5、35)中的接触结构,使得该接触结构提供在金属层(7、37)和半导体晶片(3、33)之间的电连接,其中该接触结构带有至少一个具最小维度的第一结构(9a、39a)和至少一个具最大维度的第二结构(9b、39b),其中该最小维度和该最大维度沿着半导体晶片(3、33)的表面被限定,而第一结构(9a、39a)的最小维度大于第二结构(9b、39b)的最大维度。 |
地址 |
德国比特菲尔德-沃尔夫岗 |