发明名称 太阳能电池和其生产方法
摘要 本发明涉及太阳能电池(1),其包含半导体晶片(3),布置在半导体晶片(3)上的至少一个介电层(5),布置在该介电层上的金属层(7),以及布置在介电层(5)中的接触结构,使得该接触结构提供在金属层(7)和半导体晶片(3)之间的电连接,其中该接触结构带有至少一个具最小维度的第一结构(9a)和至少一个具最大维度的第二结构(9b),其中该最小维度和该最大维度沿着半导体晶片(3)的表面被限定,而第一结构(9a)的最小维度大于第二结构(9b)的最大维度。此外,本发明涉及生产太阳能电池的方法,其包含以下方法步骤:提供带有至少一个介电层(5)的半导体晶片(3),在介电层(5)上形成金属层(7)以及在介电层(5)中布置接触结构,使得该接触结构提供在金属层(7)和半导体晶片(3)之间的电连接,其中至少一个带有最小维度的第一结构(9a)和至少一个带有最大维度的第二结构(9b)被形成为接触结构,使得第一结构(9a)的最小维度大于第二结构(9b)的最大维度。
申请公布号 CN103765601B 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201280035113.4 申请日期 2012.06.26
申请人 汉华Q电池有限公司 发明人 A·斯捷科利尼科夫;R·塞甘;M·科允塔普;M·舍夫;彼得·恩格尔哈特;M·海曼;T·巴特尔;M·特雷格
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人 陈酩;翟羽
主权项 太阳能电池(1、31),其包含半导体晶片(3、33),布置在半导体晶片(3、33)上的至少一个介电层(5、35),布置在该介电层上的金属层(7、37),以及布置在介电层(5、35)中的接触结构,使得该接触结构提供在金属层(7、37)和半导体晶片(3、33)之间的电连接,其中该接触结构带有至少一个具最小维度的第一结构(9a、39a)和至少一个具最大维度的第二结构(9b、39b),其中该最小维度和该最大维度沿着半导体晶片(3、33)的表面被限定,而第一结构(9a、39a)的最小维度大于第二结构(9b、39b)的最大维度。
地址 德国比特菲尔德-沃尔夫岗