| 发明名称 | 全背极太阳电池结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种全背极太阳电池结构及其制备方法，全背极太阳电池结构包括：电池衬底；隧穿钝化层，所述隧穿钝化层设置在电池衬底的背面上；多晶硅层，所述多晶硅层设置在隧穿钝化层的下表面上，并且所述多晶硅层具有并列设置的N型重掺杂多晶硅层和P型多晶硅层。本发明不仅能够使硅体具有良好的表面钝化效果，而且对载流子进行选择性传输，提高了全背极太阳电池的效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105390555A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201510994224.3 | 申请日期 | 2015.12.25 |
| 申请人 | 常州天合光能有限公司 | 发明人 | 端伟元;王子港;崔艳峰;杨阳;陈奕峰 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人 | 肖兴坤 |
| 主权项 | 一种全背极太阳电池结构，其特征在于，它包括：电池衬底(1)；隧穿钝化层(2)，所述隧穿钝化层(2)设置在电池衬底(1)的背面上；多晶硅层，所述多晶硅层设置在隧穿钝化层(2)的下表面上，并且所述多晶硅层具有并列设置的N型重掺杂多晶硅层(31)和P型多晶硅层(32)。 | ||
| 地址 | 213022 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 | ||