| 发明名称 | 半导体镀膜设备反应腔用新型喷淋板 | ||
| 摘要 | 一种半导体镀膜设备反应腔用新型喷淋板，主要解决现有设备工艺过程中由空心阴极放电引起的弧光放电问题。它包括制有固定螺孔的喷淋板主体，喷淋板主体上制有小孔。所述小孔采用细长结构，其直径与长度比达到1:6以上，最大为1:15。所述小孔采用正三角形阵列方式分布，其开孔区域略大于晶圆面积。本实用新型可有效阻碍电子通过小孔，从而避免喷淋板背面的辉光放电，改善工艺稳定性。具有结构简单、安全可靠的特点。可广泛地应用于半导体薄膜沉积技术领域。 | ||
| 申请公布号 | CN205077140U | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201520639274.5 | 申请日期 | 2015.08.21 |
| 申请人 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 发明人 | 柴智 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人 | 甄玉荃;霍光旭 |
| 主权项 | 一种半导体镀膜设备反应腔用新型喷淋板，其特征在于:它包括制有固定螺孔的喷淋板主体，所述喷淋板主体上制有小孔，所述小孔采用细长结构；所述小孔的直径与长度比达到1:6以上，最大为1:15。 | ||
| 地址 | 110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层 | ||