电流感测装置

摘要

本实用新型涉及一种电流感测装置。根据本实用新型的一个实施例，所述电流感测装置包括：感测MOSFET；功率MOSFET；以及补偿MOSFET，其中，所述补偿MOSFET的漏极和所述功率MOSFET的漏极连接在一起，所述感测MOSFET的栅极和所述功率MOSFET的栅极连接在一起，并且所述补偿MOSFET被配置为对由所述感测MOSFET与所述功率MOSFET的单位指状分支宽度的不同而引起的漏极端寄生电阻差进行补偿，其中所述感测MOSFET、所述功率MOSFET以及所述补偿MOSFET都是LD-MOSFET器件。通过采用根据本实用新型的电流感测装置，能够通过对流过感测MOSFET的电流进行检测来精确地确定流过功率MOSFET的电流。

主权项

一种电流感测装置，包括：感测MOSFET；功率MOSFET；以及补偿MOSFET，其中，所述补偿MOSFET的漏极和所述功率MOSFET的漏极连接在一起，所述感测MOSFET的栅极和所述功率MOSFET的栅极连接在一起，并且所述补偿MOSFET被配置为对由所述感测MOSFET与所述功率MOSFET的单位指状分支宽度的不同而引起的漏极端寄生电阻差进行补偿，其中所述感测MOSFET、所述功率MOSFET以及所述补偿MOSFET都是LD‑MOSFET器件。