发明名称 一种介孔二氧化硅包覆单壁碳纳米管的制备方法
摘要 本发明公开了一种介孔二氧化硅包覆单壁碳纳米管的制备方法。所述方法通过一步法将表面活性剂分子固定在单壁碳纳米管表面,以非共价键的方式诱导介孔二氧化硅壳层的包覆生长,不仅实现了对介孔二氧化硅壳层厚度的调控,并且可以消除氧化硅自成核现象的发生;此方法还可以在介孔孔壁和壳层外表面修饰不同的功能基团,使复合材料易于分散于各类溶剂中,提高了单壁碳纳米管的分散稳定性,同时介孔孔道可用来装载和传输不同的客体分子,具有广阔的应用前景。
申请公布号 CN104030294B 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201410246919.9 申请日期 2014.06.05
申请人 上海交通大学 发明人 古宏晨;王耀
分类号 C01B33/12(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01B33/12(2006.01)I
代理机构 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人 郑立
主权项 一种介孔二氧化硅包覆单壁碳纳米管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将单壁碳纳米管、表面活性剂和去离子水按质量比为1:1~100:5000~20000进行混合,超声分散5~720分钟,得到溶液a,所述表面活性剂为阳离子表面活性剂十四烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵、十八烷基三甲基溴化铵、十四烷基三甲基氯化铵、十六烷基三甲基氯化铵和十八烷基三甲基氯化铵中的一种或上述几种中的任意多种的任意配比;(2)将所述溶液a的pH值调节到8.0~12.0之间,加入四烷氧基硅和硅烷偶联剂,在25℃~75℃条件下反应,得到溶液b;(3)将所述溶液b离心分离,得到黑色沉淀,将所述黑色沉淀去除模板,得到的产物即为所述介孔二氧化硅包覆单壁碳纳米管。
地址 200240 上海市闵行区东川路800号