| 发明名称 | 发光二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管，其包括依次叠置的基板、第一电极、缓冲层、发光层以及第二电极，其中，该第一电极由定义在该基板上的铝掺杂氧化锌薄膜所构成，该缓冲层为氧化锌纳米线阵列，该发光层由依次层迭的N型氮化镓纳米线阵列以及P型氮化镓纳米线阵列所构成，该第二电极包覆在该P型氮化镓纳米线阵列的端头，该发光二极管还包括有填充于该第一电极以及第二电极之间的绝缘体。本发明还涉及该发光二极管的制作方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102456786B | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201010524956.3 | 申请日期 | 2010.10.29 |
| 申请人 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 许嘉麟 |
| 分类号 | H01L33/18(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/18(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人 | 薛晓伟 |
| 主权项 | 一种发光二极管，其包括依次叠置的基板、第一电极、缓冲层、发光层以及第二电极，其中，该第一电极由位于该基板上的铝掺杂氧化锌薄膜所构成，该缓冲层为氧化锌纳米线阵列，该发光层由依次层迭的N型氮化镓纳米线阵列以及P型氮化镓纳米线阵列所构成，该氧化锌纳米线的生长方向与该N型氮化镓纳米线及P型氮化镓纳米线的生长方向一致，该第二电极包覆在该P型氮化镓纳米线阵列的顶端，该发光二极管还包括一填充于该第一电极以及第二电极之间的绝缘体。 | ||
| 地址 | 518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 | ||