用于多芯片器件的热增强结构

摘要

本发明涉及一种多芯片半导体器件，该器件包括热增强结构、第一半导体芯片、第二半导体芯片、形成在第一半导体芯片和第二半导体芯片上的顶部上的封装材料层。该多芯片半导体器件进一步包括形成在封装层中的多个热通孔。该热增强结构包括与第一半导体管芯相接合的散热器模块。该散热器模块可以进一步包括多种热通孔和热开口。通过使用热增强结构，改进了多芯片半导体器件的热性能。本发明还提供了一种用于多芯片器件的热增强结构。

主权项

一种用于多芯片器件的热增强结构，包括：散热器模块，具有与第一半导体管芯相接合的第一表面并具有多个开口；所述第一半导体管芯，与第二半导体管芯相连接；封装材料层，位于所述半导体管芯和所述第二半导体管芯中的至少一个上；再分配层，形成在所述封装材料层上，并且与所述第二半导体管芯相连接；以及多个热通孔，与所述散热器模块的第二表面相连接，所述热通孔嵌入所述封装材料层中。