发明名称 高频体声波延迟线换能器制备方法及高频体声波延迟线
摘要 本发明公开了一种高频体声波延迟线换能器制备方法及高频体声波延迟线,换能器制备时,先在传声介质两端面分别沉积底电极薄膜,用上电极光刻板进行底电极薄膜的光刻,形成底电极图形;再在两端底电极上沉积压电层薄膜;最后在两端压电层薄膜上沉积上电极薄膜,用底电极光刻板进行上电极薄膜的光刻,形成上电极图形。本发明无需光刻氮化铝压电薄膜,简化了制备工艺,避免了底电极薄膜图形在刻蚀氮化铝时遭破坏,避免了氮化铝腐蚀表面残留物对后续工艺质量的影响。本发明可以优化高频体声波延迟线制备工艺,简化高频体声波延迟线换能器制备工艺,并提高器件工艺制备成品率和产品可靠性。
申请公布号 CN103985949B 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201410205053.7 申请日期 2014.05.15
申请人 中国电子科技集团公司第二十六研究所 发明人 江洪敏;陈运祥;马晋毅;石越;杜波
分类号 H01P11/00(2006.01)I;H01P9/00(2006.01)I 主分类号 H01P11/00(2006.01)I
代理机构 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人 李海华
主权项 一种高频体声波延迟线换能器制备方法,其特征在于:步骤如下,1)清洗传声介质;2)在传声介质两个端面分别沉积底电极薄膜,用上电极光刻板进行底电极薄膜的光刻,形成底电极图形;3)在两端底电极上沉积压电层薄膜,压电层薄膜材料为氮化铝;4)在两端压电层薄膜上沉积上电极薄膜,用底电极光刻板进行上电极薄膜的光刻,形成上电极图形。
地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号
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